51-62

Научная статья
УДК 621.192.22
https://doi.org/10.25686/2306-2819.2022.4.51

Влияние температурных изменений на адгезионные свойства
структуры «кремний–эпоксидный компаунд»

Т. Ю. Могильная ¹^*, А. А. Жуков ¹, А. И.Вялов ², Л. Л. Пагава ³, Н. А. Петелин ¹
¹- Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет),
Российская Федерация, 125993, Москва, A-80, ГСП-3, Волоколамское шоссе, 4
²-АО «Композит»,
Российская Федерация, 141070, Московская область, Королёв, ул. Пионерская, 4
³Московский научно-производственный комплекс «Авионика» имени О. В. Успенского,
Российская Федерация, 127055, Москва, ул. Образцова, 7
mogilnay@mail.ru*

АННОТАЦИЯ

Рассмотрены вопросы применения эпоксидного компаунда с наполнителем SiO₂ для изготовления кремниевых многослойных структур с применением системы «кремний–эпоксидный компаунд». Построена математическая модель распределения напряжений на границе раздела. Расчёты показали, что, при изменении температуры выше 120°С и ниже -60 °С, структура перестает удовлетворять предъявляемым требованиям. Предложено компенсировать избыточное напряжение за счёт нанесения наноплёнок на границы раздела материалов.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА

стековая конструкция; коэффициент теплового расширения; пластическая деформация; клеевое соединение

ПОЛНЫЙ ТЕКСТ (PDF)

ФИНАНСИРОВАНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Зотов В. PicoBlaze – семейство восьмиразрядных микропроцессорных ядер, реализуемых на основе ПЛИС фирмы Xilinx // Компоненты и технологии. 2003. № 4. С. 194–198.
2. Харченко В.А. Геттеры в кремнии // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2018. Т. 21, № 1. С. 5–17.
3. Кинетика отверждения эпоксидных связующих и микроструктура полимерных матриц в углепластиках на их основе / В. Б. Литвинов, М. С. Токсанбаев и др. // Материаловедение. 2011. № 7. С. 49.
4. Effects of internal stresses and intermediate phases on the coarsening of coherent precipitates: a phase-field study / Asle Zaeem, H. El. Kadiri, M. F. Horstemeyer et al. // Journal Current Applied Physics. Mar. 2012. Vol. 12. Pp. 570–580.
5. Investigation of the causes of silicon MOS – transistor parameters catastrophic degradation / O. А. Kulinich, M. A. Glauberman, I. R. Yatsunskiy et al. // Sensor Electronics and Microsystem
Technologies. Sensor Electronics. 2005. No. 1. Pp. 85– 89.
6. Казаринов Ю.И. Прочность элементов конструкций с вырезами и повреждениями. Тюмень: ТИУ, 2017. 187 с.
7. Инфракрасные спектры поглощения и структура композитов TiO₂—SiO₂/ T Н. Мурашкевич, А. С. Лавицкая, Т. И. Баранникова и др. // Журнал прикладной спектроскопии. 2008. Т. 75, № 5. С. 724 -728.
8. ИК спектроскопическое исследование структуры эпоксидной композиции, модифицированной медь/углеродным нанокомпозитом, и процессов, связанных с её модификацией / М. А. Чашкин, В. В. Тринеева, М. А. Вахрушина и др. / Химическая физика и мезоскопия. Т. 14, № 2. 2012. С. 223–230.
9. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Чикичев С.И. Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряжённых и полностью релаксированных гетероструктур // Успехи физических наук. 2001. Т. 171, № 7. С. 689–715.
10. Математическое моделирование физико-химических процессов в среде C М. Х. Comsol Мultiphysics 5.2. / А. В. Коваленко, А. М. Узденова, М.Х. Уртенов и др. СПб: Лань. 2017. С. 228.

Для цитирования: Влияние температурных изменений на адгезионные свойства структуры «кремний–эпоксидный компаунд» / Т. Ю. Могильная, А. А. Жуков, А. И. Вялов и др. // Вестник Поволжского государственного технологического университета. Сер.: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. 2022. № 4 (56). С. 5-46. DOI: https://doi.org/10.25686/2306-2819.2022.4.51