75-84

УДК 681.586
DOI: 10.25686/2306-2819.2019.4.75

ФОТОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА И ОСОБЕННОСТИ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Д. Е. Шашин
Поволжский государственный технологический университет,
Российская Федерация, 424000, Йошкар-Ола, пл. Ленина, 3
E-mail: dima_shashin@rambler.ru

АННОТАЦИЯ

Данная статья посвящена разработке технологии изготовления фотодиэлектрического чувствительного элемента ультрафиолетового диапазона на основе тонких плёнок оксида цинка. Описано оборудование и последовательность технологических операций для получения тонких плёнок оксида цинка и проводящих электродов методом магнетронного распыления. Исследованы оптимальное напряжение и частота измерительного сигнала для чувствительного элемента. Определена спектральная чувствительность элемента в ультрафиолетовом диапазоне.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА

фотодиэлектрический эффект; ультрафиолетовое излучение; тонкие плёнки; оксид цинка; магнетронное распыление.

ПОЛНЫЙ ТЕКСТ (pdf)

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Nanostructured morphology control and optical properties of ZnO thin film deposited from chemical solution / C. Chen, H. Xu, F. Zhang et al. // Mater. Res. Bull. 2014. Vol. 52. P. 183-188.
2. Structural properties of ZnO films grown by picosecond pulsed-laser deposition / L. Lansiart, E. Millon, J. Perriere et al. // Appl. Surf. Sci. 2012. Vol. 258. P. 9112-9115.
3. Duygulu N.E., Kodolbas A., Ekerim A. Influence of rf power on structural properties of ZnO thin films // J. Cryst. Growth .2013. Vol. 381. P. 51-56.
4. Yao B., Chan Y., Wang N. Formation of ZnO nanostructures by a simple way of thermal evaporation // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81. P. 757-760.
5. Photoluminescence and Raman analysis
of ZnO nanowires deposited on Si (100) via vapor-liquid-solid process / L.-l. Yang, J.-h. Yang, D.-d. Wang et al. // J. Phys. E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2008. Vol. 40. Iss. 4. P. 920-923.
6. Raman scattering of single tetrapod-like ZnO nanostructure synthesized by catalyst-free rapid evaporation / S. Huang, Z. Chen, X. Shen et al. // Solid State Commun. 2008. Vol. 145. Iss. 7. P. 418-422.
7. Упорядоченные массивы наностержней оксида цинка на кремниевых подложках / А.Н. Редькин, М.В. Рыжова, Е.Е. Якимов и др. // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. № 2. С. 216-222.
8. Djurisic A.B., Leung Y.H. Optical properties of ZnO nanostructures // Chin. Phys. Lett. 2006. Vol. 2. Iss. 8. P. 944-961.
9. Детекторы УФ - излучения на основе нанокристаллических пленок ZnO / В.А. Кривченко, Д.В. Лопаев, П.В. Пащенко и др. // Журнал технической физики. 2008. Т. 78. № 8. С. 107-111.
10. Тонкопленочный сенсор ультрафиолетового излучения / В.Н. Зима, И.А. Корж, К.В. Николаенко и др. // Радиотехника, электроника и связь. 2011. № 3. С. 441-448.
11. Avanesyan V.T., Bordovskii G.A., Potachov S.A. Dielectric characterization of the lone pair oxide structure // Journal of Non-Crystalline Solids. 2002. Vol. 305, № 1. P. 44-50.
12. A comprehensive review of ZnO materials and devices / U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu et al // Journal of Applied Physics. 2005. № 4. P. 1-103.
13. Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики / А.Ф. Белянин, В.А. Кривченко, Д.В. Лопаев и др. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2006. № 6. С. 48-55.
14. Fabrication and Characterization of ZnO Thin Films by Sol–Gel Spin Coating Method for the Determination of Phosphate Buffer Saline Concentration / K.L. Foo et al. // Current Nanoscience. 2013. № 9. P. 15.

Для цитирования: Шашин Д. Е. Фотодиэлектрический чувствительный элемент ультрафиолетового диапазона и особенности его изготовления // Вестник Поволжского государственного технологического университета. Сер.: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. 2019. № 4 (44). С. 75-84. DOI: 10.25686/2306-2819.2019.4.75