РАЗРАБОТКА МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ
ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЁНОК ОКСИДА ЦИНКА
С ЗАДАННЫМИ ЗНАЧЕНИЯМИ КОМПЛЕКСНОЙ
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ
Д. Е. Шашин
Поволжский государственный технологический университет,
Российская Федерация, 424000, Йошкар-Ола, пл. Ленина, 3
E-mail: dima_shashin@rambler.ru
АННОТАЦИЯ
Разработана математическая модель, связывающая технологические параметры магнетронного распыления с комплексной диэлектрической проницаемостью тонких плёнок оксида цинка. Показаны вычислительные процедуры для расчёта коэффициентов уравнения регрессии. Описано оборудование для получения тонких плёнок оксида цинка методом реактивного магнетронного распыления.
1. Ghorannevis Z., Hosseinnejad M.T. Effect of substrate temperature on structural, morphological and optical properties of deposited Al/ZnO // Theoretical Applied Physics. 2015. Vol. 21, № 8. P. 33-38.
2. Weiqiang S., Yuehui H., Yichuan C. Investigation of the Properties of Al-doped ZnO Thin Films with Sputtering Pressure Deposition by RF Magnetron Sputtering// Advances in Computer Science Research (ACSR). 2017. Vol. 76. P. 1790-1792.
3. Зайцев С.В., Ващилин В.С. Влияние концентрации кислорода на микроструктуру, морфологию и оптические свойства пленок оксида цинка, формируемых методом магнетронного распыления // Вестник ИрГТУ. 2017. Т. 21, № 8. С. 167-175.
4. Брус В.В., Ковалюк З.Д. Оптические свойства тонких пленок TiO2-MnO2, изготовленных по методу электронно-лучевого испарения // Журнал технической физики. 2012. Т. 82. Вып. 8. С. 110-113.
5. Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon// Printed in Great Britain. 1983. № 16. P. 1215-1222.
6. Вольпян О.Д., Обод Ю.А., Яковлев П.П. Получение оптических пленок оксида цинка магнетронным распылением на постоянном и переменном токе // Прикладная физика. 2010. № 3. С. 24-30.
7. Гусейнов Ф.Г., Мамедяров О.С. Планирование эксперимента в задачах электроэнергетики. М.: Энергоатомиздат, 1988. 150 с.
8. Налимов В.В., Чернова Н.А. Статистические методы планирования экстремальных экспериментов. М.: Наука, 1965. 275 с.
9. Гаскаров Д.В., Дахнович А.А. Оптимизация технологических процессов в производстве электронных приборов. М.: Высшая школа, 1986. 191 с.
10. Глудкин О.П., Обичкин Ю.Г., Блохин В.Г. Статистические методы в процессе производства радиоэлектронной аппаратуры. М.: Энергия. 1977. 296 с.
11. Барвинюк В.А. Управление напряженным состоянием и свойства плазменных покрытий. М.: Машиностроение, 1990. 384 с.
Для цитирования: Шашин Д. Е. Разработка математической модели формирования тонких плёнок оксида цинка с заданными значениями комплексной диэлектрической проницаемости// Вестник Поволжского государственного технологического университета. Сер.: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. 2018. № 4 (40). С. 74-81. DOI: 10.15350/2306-2819.2018.4.62
Отдел научных программ, интеллектуальной собственности и НИРС
(8362) 68-60-13, аудитория 404 (I) – НИРС, гранты
(8362) 68-60-09, 68-60-62 аудитория 423(I) – ОИС, публикации