61-67

Исследование технологических режимов формирования резистивных плёнок на основе оксидов элементов нержавеющей стали

А. В. Мороз
Поволжский государственный технологический университет,
Российская Федерация, 424000, Йошкар-Ола, пл. Ленина, 3
E-mail: MorozAV@volgatech.net

АННОТАЦИЯ

Разработана математическая модель технологического процесса формирования резистивных плёнок на основе оксидов элементов нержавеющей стали методом реактивного магнетронного распыления. Экспериментально доказана адекватность полученной модели в заданном диапазоне технологических параметров. Точность воспроизводимости технологии не ниже 95 % . Модель может применяться для мониторинга и автоматизации технологического процесса формирования резистивных плёнок.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА

автоматизация технологического процесса; математическая модель; рототабельный центральный композиционный план; резисторы; магнетронное распыление; нержавеющая сталь; тонкие плёнки.

ПОЛНЫЙ ТЕКСТ (pdf)

ФИНАНСИРОВАНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1.     Технологические процессы и системы в микроэлектронике: плазменные, электронно-ионно-лучевые, ультразвуковые / А.П. Достанко, В.Г. Залесский, А.М. Русецкий и др.; под ред. А.П. Достанко. Минск: Беспринт, 2009. 199 с.

2.     Берлин Е.В., Двинин С.А., Сейдман Л.А. Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок. М.: Техносфера, 2007. 176 с.

3.     Katnani A.D., Matienzo L.J., Emmi F. Effects of oxidation on the electrical resistance of cermet thin films // Journal of Materials Science Letters. 1989. No. 8. P. 1177 – 1178.

4.     Compact chromium oxide thin _lm resistors for use in nanoscale quantum circuits / C. R. Nash, J.C. Fenton, N. G. N. Constantino et al. // Journal of Applied Physics. 2014. Vol. 116. No. 22 [электронный ресурс]: https://arxiv.org/pdf/1407.8467.pdf

5.     Корж И.А., Кузнецов А.Н. Тонкие резистивные пленки на основе соединений тантала для изготовления мощных ВЧ-нагрузок и аттенюаторов // Техника радиосвязи. 2016.  № 4 (31). С. 69-76.

6.     Effects of nitrogen composition on the resistivity of reactively sputtered TaN thin films / N. Arshi, J. Lu, Y.K. Joo et al. // Surface and Interface Analysis. 2015. Vol. 47. P. 154–160.

7.     Васильев В.А., Хошев А.В. Условие получения однородных наноразмерных резистивных плёнок NiTi методом магнетронного распыления из двух источников // Известия Томского политехнического университета. Математика и механика. Физика. 2014. Т. 325. № 2. С. 173-179.

8.     Sujatha K., Uthanna S., Jayarama Reddy P. Electrical properties of co-evaporated Bi-SiO cermet films // Journal of Materials Science Letters. 1989. No 8. P. 75–76.

9.     Katumba G., Olumekor l. Effects of thickness and composition on the resistivity of Cu-MgF2 cermet thin film resistors // Journal of Materials Science. 2000. No 35. P. 2557–2559.

10. Технологические особенности формирования резистивных пленок на основе нержавеющей стали / А.В. Мороз, Н.И. Сушенцов, А.С. Степанов и др. // Вестник Поволжского государственного технологического университета. Серия: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. 2016. № 2 (30). С. 84-90.

11. Гаскаров Д.В., Голоскоков К.П., Шкабардня А.В. Применение математического программирования в дискриминантном анализе для решения задачи прогнозирования // Автоматика и телемеханика. 1988. № 7. С. 174-181.

12. Оптимизация термического цикла нагрева тонкоплёночного полимера при получении наноструктурных ионно-плазменных покрытий/ В.И. Бог­данович, В.А. Барвинок, В.Г. Небога и др. // Проблемы машиностроения и автоматизации. 2013.  № 4. С. 22-27.

Для цитирования: Мороз А. В. Исследование технологических режимов формирования резистивных плёнок на основе оксидов элементов нержавеющей стали // Вестник Поволжского государственного технологического университета. Сер.: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. 2018. № 1 (37). С. 61-67. DOI: 10.15350/2306-2819.2018.1.61