ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛОКАЛЬНОЙ ОБЛАСТИ РЕЗИСТИВНОГО СЛОЯ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИСКРОВОГО РАЗРЯДА

В. Н. Игумнов
Поволжский государственный технологический университет,
Российская Федерация, 424000, Йошкар-Ола, пл. Ленина, 3
E-mail: inok.vl49@mail.ru

АННОТАЦИЯ

Приводятся результаты экспериментальных исследований и расчётов изменения электрофизических свойств толстоплёночных резисторов до и после электроискровой подгонки. Рассмотрена зона воздействия искрового разряда на резистивную плёнку. Предложена тепловая модель действия искрового разряда на толстопленочный резистор, учитывающая энергию разряда.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА

модель электроискровой обработки; единичный разряд; зона; изменение свойств; плавление; жидкофазное спекание.

ПОЛНЫЙ ТЕКСТ (pdf)

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Стерхова Л.А. Исследование режимов электроискровой подгонки толстопленочных резисторов // Электронная обработка материалов. 1988. № 1. С. 5-7.
2. Блинов И.Д., Леухин В.Н. Увеличение производительности при электроискровой подгонке групп резисторов // Материалы Восьмой международной научной школы «Наука и инновации-2013» ISS «SI-2013». Йошкар-Ола: ГБОУ ДПО (ПК), 2013. С. 116-119.
3. Игумнов В.Н. Формирование концентрационного профиля проводящей фазы в процессе термообработки толстопленочных резистивных элементов // Вестник Поволжского государственного технологического университета. Сер.: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. 2014. № 5 (24). С. 71-78.
4. Отечественные постоянные непроволочные и СВЧ-резисторы: состояние и перспективы производства / А. Мышаев, Н. Пратусевич, Ю. Сан­кин, В. Уткин // Электронные компоненты. 2007. № 3. С. 138-140.
5. Нагаев А. А. Влияние электроискровой подгонки на распределение электрических полей в пленочном резисторе // Технические науки: проблемы и перспективы: материалы междунар. науч. конф. (г. Санкт-Петербург, март 2011 г.). СПб.: Реноме, 2011. С. 117-121.
6. Батавин В.В., Концевой Ю.Л., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985. 164 с.
7. Нагаев А.А., Леухин В.Н. Влияние диэлектрической маски на корректировку величины сопротивления толстопленочных резисторов методом электроискровой подгонки // Вестник Марийского государственного технического университета. Сер.: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. 2008. № 2 (3). С. 63 – 67.
8. Игумнов В. Н. Толстопленочные элементы электроники и микроэлектроники. Йошкар-Ола: Поволжский государственный технологический университет, 2015. 204 с

Для цитирования: Игумнов В. Н. Характеристики локальной области резистивного слоя под действием искрового разряда // Вестник Поволжского государственного технологического университета. Сер.: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. 2016. № 3 (31). С. 66-73. DOI: 10.15350/2306-2819.2016.3.66